01专项专家杨军既要保持制造大国优势做大市场也要独辟蹊径进行设计创新

01专项专家杨军既要保持制造大国优势做大市场也要独辟蹊径进行设计创新

　　 8月25日，中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会（扬州大学附属中学）在江苏无锡太湖国际博览中心正式开幕。高峰论坛上，国家01专项专家、东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心主任杨军发表了题为《东南大学杨军》的演讲。

　　 杨军指出，2004年以来，我国设计业年均复合增长率为26.6%，营收超过4000亿元，是我国集成电路产业发展的火车头，非同寻常，在集成电路历史上，这个增速水平只有上世纪~年代曾经有过。

　　 回顾中国集成电路设计过去创新之路，全球集成电路的技术创新和发展是由大宗电子产品推动，包括大型机、小型机、PC、手机、IoT等；而中国集成电路产业的发展与中国应用需求密切相关，从SIM卡、身份证，到用于消费类电子整机产品的通信和多媒体SoC，再到高端通用芯片的国产替代。如今再高端通用芯片领域逐渐开始取得突破，从0提升到占有一定市场份额。

　　 “海量市场、资本市场和国家科技计划共同支撑起了中国芯的发展。”杨军表示，大宗电子产品、手机、PC、手表、智东南大学杨军联车等海量市场推动了我们整机研发和创新能力逐渐提升；集成电路产业投资基金建立了长效机制，科创板打开了融资渠道；国家科技计划具有旗帜和导向作用，支撑了高难度产品的早期投资、产业链共性技术投入、产业链上下游整合。

　　 随着美、西方对中国的科技封锁不断升级，杨军认为未来十年我们都会面临这一问题带来的严峻挑战。在此背景下，他强调贴近应用、产品创新是我们的传统强项，我们应该继续发挥中国制造大国的优势，系统牵引下的系统创新，并通过技术创新、开辟新应用领域，做大既有市场。另一方面，也要独辟蹊径，通过基础技术创新支撑先进工艺依赖的产品。

　　 最后，杨军介绍了其团队在集成电路设计创新方面的探索。他介绍，传统设计方法和理念在低电压下几乎都失效，包括时序模型、SRAM存储器良率、弹性调节、射频模拟电路电压裕度和缺乏EDA工具等。他的团队提出了宽电压设计，即供电电压从阈值电压-标称电压范围，如此一来既可以实现超阈值区高性能，也可以实现近阈值区高能效，实现弹性调节。

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